nano bor nitridi/ nano BN 50nm 99.9%
Asosiy xususiyatlariNano bor nitridi ultra yupqa bor nitridi kukuni maxsus jarayon usuli bilan tayyorlangan, yuqori tozalikdagi kukun, kichik zarracha hajmi, katta sirt maydoni va yuqori sirt faolligi, grafit qatlamli tuzilishga o'xshash kristall tuzilishi, bo'shashgan moylash, namlikni oson singdirish (namlikni yutish muammosini yengib o'tgandan keyin o'zgartirilishi mumkin), yengillik xususiyatlari; a'lo quruq moylash, kimyoviy jihatdan juda barqaror, past issiqlik kengayish koeffitsienti, a'lo yuqori haroratli issiqlik izolyatsiya materiallari; Mohs qattiqligi 4 ga yaqin olmos qattiqligi, issiqlik barqarorligi va kimyoviy xususiyatlari boshqa materiallardan ustundir.
Transistor quritgichining issiqlik muhrlanishining issiqlik izolatsiyasi va plastik qatronlar, rezina qoplamali polimer qo'shimchalar; ikkita burg'ulash uchlari, abrazivlar, kesish asboblari; uchta yuqori haroratli moylash materiallari va ajratuvchi vositalar; to'rtta yuqori kuchlanishli yuqori chastotali elektr izolyatorlari va plazma yoyi, yuqori chastotali induksion pechning yuqori haroratli stent qoplama materiallarini avtomatik payvandlash, yarimo'tkazgichlar, qattiq fazali aralashma, atom reaktorlari, strukturaviy materiallar, neytron nurlanishining oldini olish uchun qadoqlash materiallari, radar. Transfer oynasi, radar antennasining muhiti va raketa dvigateli materiallarining tarkibi.
| Mahsulotlar tasniflanadi | Model | O'rtacha zarracha hajmi (nm) | Soflik (%) | Solishtirma sirt maydoni (m2/ g) | Ommaviy zichlik (g / sm2)3) | Polimorflar | Rang |
| Nanoskalali | BN-001 | 50 | > 99.9 | 43.6 | 0.11 | Olti partiyali | Oq |
| Submikron | BN-002 | 600 | > 99.9 | 9.16 | 2.30 | Olti partiyali | Oq |
| 1. | nano-kremniy nitridi / nano Si3N4 20nm 99.9% |
| 2. | nano-alyuminiy nitridi / nano AlN 30nm 99.9% |
| 3. | nano-titan nitridi / nano TiN 20nm 99.9% |
| 4. | nano bor nitridi / nano BN 50nm 99.9% |
| 5. | nano-tsirkoniy nitridi / nano ZrN 50nm 99.9% |
| 6. | nano vanadiy nitridi / nano VN 40nm 99.9% |
